Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-263
Series
MDmesh DM2
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
290mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
20nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-25, +25V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
4.6mm
Length
9.35mm
Standards/Approvals
No
Width
10.4mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 2.401
RSD 480,15 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 2.881
RSD 576,18 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
Standard
5
RSD 2.401
RSD 480,15 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 2.881
RSD 576,18 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
5
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RSD 480,15 | RSD 2.401 |
| 50 - 120 | RSD 437,712 | RSD 2.189 |
| 125+ | RSD 374,662 | RSD 1.873 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-263
Series
MDmesh DM2
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
290mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
20nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-25, +25V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
4.6mm
Length
9.35mm
Standards/Approvals
No
Width
10.4mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.