Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
25A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-263
Series
ST
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.115Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Power Dissipation Pd
190W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
35nC
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
10.4mm
Height
15.85mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Vysokonapěťový N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET STMicroelectronics je součástí řady diod pro rychlou regeneraci MDmesh™ DM6. Ve srovnání s předchozí generací technologie MDmesh FAST kombinuje technologie DM6 velmi nízký poplatek za obnovení (Qrr), dobu obnovení (trr) a vynikající zlepšení RDS(on) na oblast s jedním z nejefektivnějších způsobů přepínání dostupných na trhu.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 585.638
RSD 585,638 komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
RSD 702.765
RSD 702,766 komad (u Reel od 1000) (s PDV-om)
1000
RSD 585.638
RSD 585,638 komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
RSD 702.765
RSD 702,766 komad (u Reel od 1000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
25A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-263
Series
ST
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.115Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Power Dissipation Pd
190W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
35nC
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
10.4mm
Height
15.85mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Vysokonapěťový N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET STMicroelectronics je součástí řady diod pro rychlou regeneraci MDmesh™ DM6. Ve srovnání s předchozí generací technologie MDmesh FAST kombinuje technologie DM6 velmi nízký poplatek za obnovení (Qrr), dobu obnovení (trr) a vynikající zlepšení RDS(on) na oblast s jedním z nejefektivnějších způsobů přepínání dostupných na trhu.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
