Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
28A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-263
Series
STB37N60
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
94mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
210W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
54nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
4.6mm
Length
15.85mm
Standards/Approvals
AEC-Q101
Width
10.4mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalji o proizvodu
Vysokonapěťový N-kanálový výkonový MOSFET STMicroelectronics je součástí řady diod MDmesh™ DM2 pro rychlou obnovu. Nabízí velmi nízký poplatek za obnovu (Qrr) a čas (trr) v kombinaci s nízkým RDS (on), což je vhodné pro nejnáročnější vysoce účinné převodníky a ideální pro topologie mostů a měniče fáze-Shift ZVS.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 792.975
RSD 792,975 komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
RSD 951.570
RSD 951,57 komad (u Reel od 1000) (s PDV-om)
1000
RSD 792.975
RSD 792,975 komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
RSD 951.570
RSD 951,57 komad (u Reel od 1000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
28A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-263
Series
STB37N60
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
94mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
210W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
54nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
4.6mm
Length
15.85mm
Standards/Approvals
AEC-Q101
Width
10.4mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalji o proizvodu
Vysokonapěťový N-kanálový výkonový MOSFET STMicroelectronics je součástí řady diod MDmesh™ DM2 pro rychlou obnovu. Nabízí velmi nízký poplatek za obnovu (Qrr) a čas (trr) v kombinaci s nízkým RDS (on), což je vhodné pro nejnáročnější vysoce účinné převodníky a ideální pro topologie mostů a měniče fáze-Shift ZVS.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
