Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
35A
Maximum Drain Source Voltage Vds
710V
Package Type
TO-263
Series
MDmesh M5
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
78mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
210W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
82nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
4.6mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
9.35mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh M5 jsou optimalizovány pro vysoce výkonné topologie PFC a PWM. Mezi hlavní funkce patří nízké ztráty na silikonové ploše v kombinaci s nízkým nabíjením zadní výklopné stěny. Jsou navrženy pro energeticky úsporné, kompaktní a spolehlivé aplikace pro náročné přepínání, jako jsou solární napájecí měniče, napájecí zdroje pro spotřební výrobky a elektronické ovládání osvětlení.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 940
RSD 940 Each (bez PDV-a)
RSD 1.128
RSD 1.128 Each (s PDV-om)
Standard
1
RSD 940
RSD 940 Each (bez PDV-a)
RSD 1.128
RSD 1.128 Each (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
1
| količina | Jedinična cena |
|---|---|
| 1 - 9 | RSD 940 |
| 10+ | RSD 678 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
35A
Maximum Drain Source Voltage Vds
710V
Package Type
TO-263
Series
MDmesh M5
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
78mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
210W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
82nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
4.6mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
9.35mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh M5 jsou optimalizovány pro vysoce výkonné topologie PFC a PWM. Mezi hlavní funkce patří nízké ztráty na silikonové ploše v kombinaci s nízkým nabíjením zadní výklopné stěny. Jsou navrženy pro energeticky úsporné, kompaktní a spolehlivé aplikace pro náročné přepínání, jako jsou solární napájecí měniče, napájecí zdroje pro spotřební výrobky a elektronické ovládání osvětlení.