Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
TO-252
Series
STripFET H7
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
61nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Power Dissipation Pd
120W
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Width
6.2mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 585.031
RSD 234,012 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 702.038
RSD 280,814 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
2500
RSD 585.031
RSD 234,012 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 702.038
RSD 280,814 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
2500
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
TO-252
Series
STripFET H7
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
61nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Power Dissipation Pd
120W
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Width
6.2mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
