Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
10A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
420mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
16.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
6.6mm
Height
2.17mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tento vysokonapěťový výkonový MOSFET typu N-channel je součástí řady diod rychlé obnovy MDmesh™ DM2. Nabízí velmi nízké obnovovací zatížení (Qrr) a čas (TRR) v kombinaci s nízkým RDS(on). Díky tomu je vhodný pro nejnáročnější měniče s vysokou účinností a je ideální pro topologie mostu a měniče ZVS s fázovým posunem.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 391.031
RSD 156,412 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 469.238
RSD 187,694 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
2500
RSD 391.031
RSD 156,412 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 469.238
RSD 187,694 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
2500
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
10A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
420mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
16.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
6.6mm
Height
2.17mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tento vysokonapěťový výkonový MOSFET typu N-channel je součástí řady diod rychlé obnovy MDmesh™ DM2. Nabízí velmi nízké obnovovací zatížení (Qrr) a čas (TRR) v kombinaci s nízkým RDS(on). Díky tomu je vhodný pro nejnáročnější měniče s vysokou účinností a je ideální pro topologie mostu a měniče ZVS s fázovým posunem.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
