Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
11A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Series
MDmesh II
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.36Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
27nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.5V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
10.1mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
6.6mm
Height
2.4mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Výkonové tranzistory STMicroelectronics Power MOSFET jsou vyvinuty pomocí druhé generace technologie MDmesh. Tento revoluční výkonový tranzistor MOSFET spojuje vertikální strukturu s páskovým uspořádáním společnosti, čímž dosahuje jednoho z nejnižších odporů a náboje na hradle na světě. Je proto vhodný pro nejnáročnější měniče s vysokou účinností.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 339.500
RSD 135,80 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 407.400
RSD 162,96 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
2500
RSD 339.500
RSD 135,80 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 407.400
RSD 162,96 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
2500
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
11A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Series
MDmesh II
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.36Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
27nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.5V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
10.1mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
6.6mm
Height
2.4mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Výkonové tranzistory STMicroelectronics Power MOSFET jsou vyvinuty pomocí druhé generace technologie MDmesh. Tento revoluční výkonový tranzistor MOSFET spojuje vertikální strukturu s páskovým uspořádáním společnosti, čímž dosahuje jednoho z nejnižších odporů a náboje na hradle na světě. Je proto vhodný pro nejnáročnější měniče s vysokou účinností.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
