Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
11A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-252
Series
MDmesh II
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.36Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
27nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
2.4mm
Length
10.1mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
6.6mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Výkonové tranzistory STMicroelectronics Power MOSFET jsou vyvinuty pomocí druhé generace technologie MDmesh. Tento revoluční výkonový tranzistor MOSFET spojuje vertikální strukturu s páskovým uspořádáním společnosti, čímž dosahuje jednoho z nejnižších odporů a náboje na hradle na světě. Je proto vhodný pro nejnáročnější měniče s vysokou účinností.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 2.655
RSD 531,075 komad ( isporučivo na traci) (bez PDV-a)
RSD 3.186
RSD 637,29 komad ( isporučivo na traci) (s PDV-om)
Standard
5
RSD 2.655
RSD 531,075 komad ( isporučivo na traci) (bez PDV-a)
RSD 3.186
RSD 637,29 komad ( isporučivo na traci) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
5
| količina | Jedinična cena | Po traka |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RSD 531,075 | RSD 2.655 |
| 50 - 120 | RSD 464,388 | RSD 2.322 |
| 125+ | RSD 379,512 | RSD 1.898 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
11A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-252
Series
MDmesh II
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.36Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
27nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
2.4mm
Length
10.1mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
6.6mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Výkonové tranzistory STMicroelectronics Power MOSFET jsou vyvinuty pomocí druhé generace technologie MDmesh. Tento revoluční výkonový tranzistor MOSFET spojuje vertikální strukturu s páskovým uspořádáním společnosti, čímž dosahuje jednoho z nejnižších odporů a náboje na hradle na světě. Je proto vhodný pro nejnáročnější měniče s vysokou účinností.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
