Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
800V
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
1.73Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
5nC
Maximum Power Dissipation Pd
60W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
6.6mm
Height
2.17mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tento vysoce vysokonapěťový výkonový MOSFET typu N-channel je navržen pomocí technologie MDmesh K5 založené na inovativní proprietární vertikální struktuře. Výsledkem je dramatické snížení odolnosti vůči povětrnostním vlivům a mimořádně nízké nabití brány pro aplikace vyžadující vynikající hustotu energie a vysokou účinnost.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 363.750
RSD 145,50 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 436.500
RSD 174,60 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
2500
RSD 363.750
RSD 145,50 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 436.500
RSD 174,60 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
2500
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
800V
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
1.73Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
5nC
Maximum Power Dissipation Pd
60W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
6.6mm
Height
2.17mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tento vysoce vysokonapěťový výkonový MOSFET typu N-channel je navržen pomocí technologie MDmesh K5 založené na inovativní proprietární vertikální struktuře. Výsledkem je dramatické snížení odolnosti vůči povětrnostním vlivům a mimořádně nízké nabití brány pro aplikace vyžadující vynikající hustotu energie a vysokou účinnost.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
