Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
55A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-252
Series
STD
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
14nC
Maximum Power Dissipation Pd
70W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
6.6mm
Height
2.4mm
Standards/Approvals
UL
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics MOSFET zařízení je N-kanál napájení MOSFET vyvinutý pomocí STMicroelectronics STripFET H5 technologie. Toto zařízení bylo optimalizováno pro dosažení velmi nízkého odporu ve stavu.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 10.064
RSD 201,275 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)
RSD 12.076
RSD 241,53 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (kolut)
50
RSD 10.064
RSD 201,275 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)
RSD 12.076
RSD 241,53 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (kolut)
50
| količina | Jedinična cena | Po kolut |
|---|---|---|
| 50 - 245 | RSD 201,275 | RSD 1.006 |
| 250 - 495 | RSD 160,05 | RSD 800 |
| 500+ | RSD 147,925 | RSD 740 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
55A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-252
Series
STD
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
14nC
Maximum Power Dissipation Pd
70W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
6.6mm
Height
2.4mm
Standards/Approvals
UL
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics MOSFET zařízení je N-kanál napájení MOSFET vyvinutý pomocí STMicroelectronics STripFET H5 technologie. Toto zařízení bylo optimalizováno pro dosažení velmi nízkého odporu ve stavu.