Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
7A
Maximum Drain Source Voltage Vds
710V
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
600mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
15nC
Maximum Power Dissipation Pd
70W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
6.6mm
Height
2.17mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tato zařízení jsou vybavena tranzistory MOSFET S N-channel MDmesh™ V, které jsou založeny na inovativní patentované technologii vertikálních procesů. Tyto modely jsou kombinovány s dobře známou strukturou horizontálního rozložení PowerMESH™ společnosti STMicroelectronics. Výsledný výrobek má mimořádně nízký odpor, který není mezi výkonovými tranzistory MOSFET založenými na křemíku nepřekonatelný, takže je vhodný zejména pro aplikace, které vyžadují vynikající hustotu energie a vynikající účinnost.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 575.938
RSD 230,375 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 691.125
RSD 276,45 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
2500
RSD 575.938
RSD 230,375 komad (u Reel od 2500) (bez PDV-a)
RSD 691.125
RSD 276,45 komad (u Reel od 2500) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
2500
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
7A
Maximum Drain Source Voltage Vds
710V
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
600mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
15nC
Maximum Power Dissipation Pd
70W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
6.6mm
Height
2.17mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tato zařízení jsou vybavena tranzistory MOSFET S N-channel MDmesh™ V, které jsou založeny na inovativní patentované technologii vertikálních procesů. Tyto modely jsou kombinovány s dobře známou strukturou horizontálního rozložení PowerMESH™ společnosti STMicroelectronics. Výsledný výrobek má mimořádně nízký odpor, který není mezi výkonovými tranzistory MOSFET založenými na křemíku nepřekonatelný, takže je vhodný zejména pro aplikace, které vyžadují vynikající hustotu energie a vynikající účinnost.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
