Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
11A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-220FP
Series
MDmesh
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
360mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25, -25V
Maximum Operating Temperature
150°C
Transistor Configuration
Single
Length
10.4mm
Height
16.4mm
Width
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Detalji o proizvodu
Tato zařízení jsou výkonové tranzistory MOSFET s N-kanálem vyvinuté s využitím technologie MDmesh druhé generace. Tyto revoluční výkonové tranzistory MOSFET spojují svislou strukturu s páskovým uspořádáním společnosti a zajišťují jednu z nejnižších hodnot zapnutého odporu a hradlového náboje na světě. Jsou proto vhodné pro nejnáročnější převodníky s vysokou účinností.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Cena na upit
komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)
50
Cena na upit
komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
50
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
11A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-220FP
Series
MDmesh
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
360mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25, -25V
Maximum Operating Temperature
150°C
Transistor Configuration
Single
Length
10.4mm
Height
16.4mm
Width
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Detalji o proizvodu
Tato zařízení jsou výkonové tranzistory MOSFET s N-kanálem vyvinuté s využitím technologie MDmesh druhé generace. Tyto revoluční výkonové tranzistory MOSFET spojují svislou strukturu s páskovým uspořádáním společnosti a zajišťují jednu z nejnižších hodnot zapnutého odporu a hradlového náboje na světě. Jsou proto vhodné pro nejnáročnější převodníky s vysokou účinností.