Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
18A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Series
MDmesh M2
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
190mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
29nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-25, +25V
Maximum Power Dissipation Pd
30W
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
16.4mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
4.6mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 1.576
RSD 315,25 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 1.892
RSD 378,30 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (cev)
5
RSD 1.576
RSD 315,25 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 1.892
RSD 378,30 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (cev)
5
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
18A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Series
MDmesh M2
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
190mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
29nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-25, +25V
Maximum Power Dissipation Pd
30W
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
16.4mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
4.6mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
