Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
28A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-220
Series
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
110mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
54nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
16.4mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 1.644
RSD 822,075 komadno (u pakovanju od 2) (bez PDV-a)
RSD 1.973
RSD 986,49 komadno (u pakovanju od 2) (s PDV-om)
Standard
2
RSD 1.644
RSD 822,075 komadno (u pakovanju od 2) (bez PDV-a)
RSD 1.973
RSD 986,49 komadno (u pakovanju od 2) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
2
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RSD 822,075 | RSD 1.644 |
| 20 - 98 | RSD 733,562 | RSD 1.467 |
| 100 - 198 | RSD 682,638 | RSD 1.365 |
| 200+ | RSD 609,888 | RSD 1.220 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
28A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-220
Series
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
110mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
54nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
16.4mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.