Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
28A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-220
Series
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
110mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
54nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
16.4mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 14.671
RSD 733,562 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 17.606
RSD 880,274 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (cev)
20
RSD 14.671
RSD 733,562 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 17.606
RSD 880,274 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (cev)
20
| količina | Jedinična cena | Po cev |
|---|---|---|
| 20 - 98 | RSD 733,562 | RSD 1.467 |
| 100 - 198 | RSD 685,062 | RSD 1.370 |
| 200+ | RSD 612,312 | RSD 1.225 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
28A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-220
Series
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
110mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
54nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
16.4mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.