Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
86A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Number of Transistors
1
Package Type
TO-263
Pin Count
3
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Řada IGBT 650 V HB2 společnosti STMicroelectronics představuje vývoj pokročilé proprietární struktury pole-stop. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vodivosti díky lepšímu chování VCE(sat) při nízkých hodnotách proudu a také z hlediska snížení spínací energie.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Cena na upit
komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
1000
Cena na upit
komad (u Reel od 1000) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
86A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Number of Transistors
1
Package Type
TO-263
Pin Count
3
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Řada IGBT 650 V HB2 společnosti STMicroelectronics představuje vývoj pokročilé proprietární struktury pole-stop. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vodivosti díky lepšímu chování VCE(sat) při nízkých hodnotách proudu a také z hlediska snížení spínací energie.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
