Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
10A
Product Type
Trench Gate Field Stop IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
88W
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Channel Type
N
Pin Count
3
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.95V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
6.2mm
Series
H
Energy Rating
221mJ
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Cena na upit
komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)
Proizvodno pakovanje (kolut)
10
Cena na upit
komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (kolut)
10
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
10A
Product Type
Trench Gate Field Stop IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
88W
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Channel Type
N
Pin Count
3
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.95V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
6.2mm
Series
H
Energy Rating
221mJ
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
