Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Trench Gate Field Stop IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
10A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
88W
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.95V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
2.4mm
Standards/Approvals
RoHS
Length
6.6mm
Series
H
Automotive Standard
No
Energy Rating
221mJ
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 6.790
RSD 67,90 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)
RSD 8.148
RSD 81,48 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (kolut)
100
RSD 6.790
RSD 67,90 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)
RSD 8.148
RSD 81,48 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (kolut)
100
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Trench Gate Field Stop IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
10A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
88W
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.95V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
2.4mm
Standards/Approvals
RoHS
Length
6.6mm
Series
H
Automotive Standard
No
Energy Rating
221mJ
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
