Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
200A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
600W
Package Type
ISOTOP
Mount Type
Clamp
Channel Type
N
Pin Count
4
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.6V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
38.2mm
Height
12.2mm
Standards/Approvals
ECOPACK, JESD97
Width
31.7mm
Series
Powermesh
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 4.486
RSD 4.486 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 5.384
RSD 5.384 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (cev)
1
RSD 4.486
RSD 4.486 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 5.384
RSD 5.384 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (cev)
1
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
200A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
600W
Package Type
ISOTOP
Mount Type
Clamp
Channel Type
N
Pin Count
4
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.6V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
38.2mm
Height
12.2mm
Standards/Approvals
ECOPACK, JESD97
Width
31.7mm
Series
Powermesh
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
