Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
29A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
80W
Package Type
TO-220FP
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
3.8μs
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.75V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
10.4mm
Length
30.6mm
Standards/Approvals
RoHS
Series
Low Drop
Energy Rating
8mJ
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 2.195
RSD 219,462 komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)
RSD 2.634
RSD 263,354 komadno (u pakovanju od 10) (s PDV-om)
Standard
10
RSD 2.195
RSD 219,462 komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)
RSD 2.634
RSD 263,354 komadno (u pakovanju od 10) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
10
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
29A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
80W
Package Type
TO-220FP
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
3.8μs
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.75V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
10.4mm
Length
30.6mm
Standards/Approvals
RoHS
Series
Low Drop
Energy Rating
8mJ
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
