Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
6A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
1200V
Maximum Power Dissipation Pd
25W
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.8V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
10.4mm
Height
16.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 1.297
RSD 259,475 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 1.557
RSD 311,37 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
Standard
5
RSD 1.297
RSD 259,475 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 1.557
RSD 311,37 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
5
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RSD 259,475 | RSD 1.297 |
| 50 - 245 | RSD 213,40 | RSD 1.067 |
| 250 - 495 | RSD 169,75 | RSD 849 |
| 500+ | RSD 163,688 | RSD 818 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
6A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
1200V
Maximum Power Dissipation Pd
25W
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.8V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
10.4mm
Height
16.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
