Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
7A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
56W
Package Type
TO-220FP
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
16.4mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
JEDEC JESD97
Width
4.6mm
Series
Powermesh
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 9.276
RSD 185,512 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 11.131
RSD 222,614 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (cev)
50
RSD 9.276
RSD 185,512 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 11.131
RSD 222,614 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (cev)
50
| količina | Jedinična cena | Po cev |
|---|---|---|
| 50 - 245 | RSD 185,512 | RSD 928 |
| 250 - 495 | RSD 146,712 | RSD 734 |
| 500+ | RSD 135,80 | RSD 679 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
7A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
56W
Package Type
TO-220FP
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
16.4mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
JEDEC JESD97
Width
4.6mm
Series
Powermesh
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
