Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
7A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
25W
Package Type
TO-220FP
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
16.4mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
4.6mm
Series
Powermesh
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 5.092
RSD 254,625 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 6.111
RSD 305,55 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (cev)
20
RSD 5.092
RSD 254,625 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 6.111
RSD 305,55 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (cev)
20
| količina | Jedinična cena | Po cev |
|---|---|---|
| 20 - 98 | RSD 254,625 | RSD 509 |
| 100 - 198 | RSD 238,862 | RSD 478 |
| 200+ | RSD 213,40 | RSD 427 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
7A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
25W
Package Type
TO-220FP
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
16.4mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
4.6mm
Series
Powermesh
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
