Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
60A
Product Type
Trench Gate Field Stop IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
260W
Package Type
TO-3PF
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.3V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
26.7mm
Length
15.7mm
Standards/Approvals
ECOPACK
Width
5.7mm
Series
V
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 1.033
RSD 516,525 komadno (u pakovanju od 2) (bez PDV-a)
RSD 1.240
RSD 619,83 komadno (u pakovanju od 2) (s PDV-om)
Standard
2
RSD 1.033
RSD 516,525 komadno (u pakovanju od 2) (bez PDV-a)
RSD 1.240
RSD 619,83 komadno (u pakovanju od 2) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
2
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RSD 516,525 | RSD 1.033 |
| 20 - 98 | RSD 425,588 | RSD 851 |
| 100 - 198 | RSD 338,288 | RSD 677 |
| 200+ | RSD 311,612 | RSD 623 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
60A
Product Type
Trench Gate Field Stop IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
260W
Package Type
TO-3PF
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.3V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
26.7mm
Length
15.7mm
Standards/Approvals
ECOPACK
Width
5.7mm
Series
V
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
