Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
20A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
25W
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.5V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
10.4mm
Height
9.15mm
Standards/Approvals
No
Width
4.6mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 6.608
RSD 132,162 komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)
RSD 7.930
RSD 158,594 komad (u Tubi od 50) (s PDV-om)
50
RSD 6.608
RSD 132,162 komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)
RSD 7.930
RSD 158,594 komad (u Tubi od 50) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
50
| količina | Jedinična cena | Po cev |
|---|---|---|
| 50 - 450 | RSD 132,162 | RSD 6.608 |
| 500+ | RSD 130,95 | RSD 6.548 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
20A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
25W
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.5V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
10.4mm
Height
9.15mm
Standards/Approvals
No
Width
4.6mm
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.