Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
40A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Number of Transistors
1
Package Type
TO-220
Pin Count
3
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Řada IGBT 650 V HB2 společnosti STMicroelectronics představuje vývoj pokročilé proprietární struktury pole-stop. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vodivosti díky lepšímu chování VCE(sat) při nízkých hodnotách proudu a také z hlediska snížení spínací energie.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Cena na upit
komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
Standard
5
Cena na upit
komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
5
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
40A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Number of Transistors
1
Package Type
TO-220
Pin Count
3
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Řada IGBT 650 V HB2 společnosti STMicroelectronics představuje vývoj pokročilé proprietární struktury pole-stop. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vodivosti díky lepšímu chování VCE(sat) při nízkých hodnotách proudu a také z hlediska snížení spínací energie.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
