Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
10A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
88W
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.95V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
4.6mm
Series
Trench Gate Field Stop
Energy Rating
221mJ
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 1.285
RSD 128,525 komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)
RSD 1.542
RSD 154,23 komadno (u pakovanju od 10) (s PDV-om)
Standard
10
RSD 1.285
RSD 128,525 komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)
RSD 1.542
RSD 154,23 komadno (u pakovanju od 10) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
10
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RSD 128,525 | RSD 1.285 |
| 100 - 490 | RSD 116,40 | RSD 1.164 |
| 500+ | RSD 101,85 | RSD 1.018 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
10A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
88W
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
1.95V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
4.6mm
Series
Trench Gate Field Stop
Energy Rating
221mJ
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
