Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
25A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
80W
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
No
Length
10.4mm
Height
9.15mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 577
RSD 288,575 komadno (u pakovanju od 2) (bez PDV-a)
RSD 693
RSD 346,29 komadno (u pakovanju od 2) (s PDV-om)
Standard
2
RSD 577
RSD 288,575 komadno (u pakovanju od 2) (bez PDV-a)
RSD 693
RSD 346,29 komadno (u pakovanju od 2) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
2
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RSD 288,575 | RSD 577 |
| 20 - 98 | RSD 181,875 | RSD 364 |
| 100 - 198 | RSD 145,50 | RSD 291 |
| 200+ | RSD 134,588 | RSD 269 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
25A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
80W
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
No
Length
10.4mm
Height
9.15mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
