Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
216A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Maximum Power Dissipation Pd
714W
Number of Transistors
2
Package Type
ECOPACK
Configuration
Single
Mount Type
Surface
Channel Type
NPN
Pin Count
9
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.05V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
4mm
Height
5.5mm
Standards/Approvals
UL1557
Automotive Standard
AEC-Q101
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Řada IGBT řady STMicroelectronics s nízkými ztrátami a polohovým zastavením jámové brány automobilové kvality v pouzdru ACEPACK SMIT. Toto zařízení je IGBT vyvinuto pomocí pokročilé proprietární struktury pozemního zastavení jámy. Zařízení je součástí řady IGBT řady M, která představuje optimální rovnováhu mezi výkonem a účinností měničového systému, kde je nezbytná funkce s nízkými ztrátami a zkratem.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 3.072
RSD 3.072 Each (bez PDV-a)
RSD 3.687
RSD 3.687 Each (s PDV-om)
Standard
1
RSD 3.072
RSD 3.072 Each (bez PDV-a)
RSD 3.687
RSD 3.687 Each (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
1
| količina | Jedinična cena |
|---|---|
| 1 - 9 | RSD 3.072 |
| 10 - 99 | RSD 2.658 |
| 100+ | RSD 2.393 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
216A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Maximum Power Dissipation Pd
714W
Number of Transistors
2
Package Type
ECOPACK
Configuration
Single
Mount Type
Surface
Channel Type
NPN
Pin Count
9
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.05V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
4mm
Height
5.5mm
Standards/Approvals
UL1557
Automotive Standard
AEC-Q101
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Řada IGBT řady STMicroelectronics s nízkými ztrátami a polohovým zastavením jámové brány automobilové kvality v pouzdru ACEPACK SMIT. Toto zařízení je IGBT vyvinuto pomocí pokročilé proprietární struktury pozemního zastavení jámy. Zařízení je součástí řady IGBT řady M, která představuje optimální rovnováhu mezi výkonem a účinností měničového systému, kde je nezbytná funkce s nízkými ztrátami a zkratem.