Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
145A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Maximum Power Dissipation Pd
441W
Package Type
TO-247-4
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
4
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
5.1mm
Length
15.9mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
21.1mm
Series
STG
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie. Výsledkem je produkt speciálně navržený tak, aby maximalizoval efektivitu pro širokou škálu rychlých aplikací.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 29.100
RSD 970 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)
RSD 34.920
RSD 1.164 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)
30
RSD 29.100
RSD 970 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)
RSD 34.920
RSD 1.164 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
30
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
145A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Maximum Power Dissipation Pd
441W
Package Type
TO-247-4
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
4
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
5.1mm
Length
15.9mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
21.1mm
Series
STG
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie. Výsledkem je produkt speciálně navržený tak, aby maximalizoval efektivitu pro širokou škálu rychlých aplikací.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
