Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
30A
Product Type
Trench Gate Field Stop IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
260W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.75mm
Height
20.15mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
5.15mm
Series
HB
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 793
RSD 396,488 komadno (u pakovanju od 2) (bez PDV-a)
RSD 952
RSD 475,786 komadno (u pakovanju od 2) (s PDV-om)
Standard
2
RSD 793
RSD 396,488 komadno (u pakovanju od 2) (bez PDV-a)
RSD 952
RSD 475,786 komadno (u pakovanju od 2) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
2
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RSD 396,488 | RSD 793 |
| 20+ | RSD 388 | RSD 776 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
30A
Product Type
Trench Gate Field Stop IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
260W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.75mm
Height
20.15mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
5.15mm
Series
HB
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.