Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Trench Gate Field Stop IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
30A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
260W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
20.15mm
Standards/Approvals
RoHS
Series
HB
Length
15.75mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 7.760
RSD 388 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 9.312
RSD 465,60 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (cev)
20
RSD 7.760
RSD 388 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 9.312
RSD 465,60 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (cev)
20
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Trench Gate Field Stop IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
30A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
260W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
20.15mm
Standards/Approvals
RoHS
Series
HB
Length
15.75mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
