Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
30A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
260W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.3V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
RoHS
Series
V
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 2.292
RSD 458,325 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 2.750
RSD 549,99 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
Standard
5
RSD 2.292
RSD 458,325 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 2.750
RSD 549,99 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
5
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RSD 458,325 | RSD 2.292 |
| 50 - 120 | RSD 440,138 | RSD 2.201 |
| 125+ | RSD 435,288 | RSD 2.176 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
30A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
260W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.3V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
RoHS
Series
V
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
