Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
40A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
283W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.75mm
Height
20.15mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
5.15mm
Series
H
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 1.399
RSD 699,612 komadno (u pakovanju od 2) (bez PDV-a)
RSD 1.679
RSD 839,534 komadno (u pakovanju od 2) (s PDV-om)
Standard
2
RSD 1.399
RSD 699,612 komadno (u pakovanju od 2) (bez PDV-a)
RSD 1.679
RSD 839,534 komadno (u pakovanju od 2) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
2
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RSD 699,612 | RSD 1.399 |
| 20 - 98 | RSD 624,438 | RSD 1.249 |
| 100 - 198 | RSD 582 | RSD 1.164 |
| 200+ | RSD 518,95 | RSD 1.038 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
40A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
283W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.75mm
Height
20.15mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
5.15mm
Series
H
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
