Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
80A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
283W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.3V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.75mm
Height
20.15mm
Standards/Approvals
Lead free package
Series
V
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 25.462
RSD 509,25 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 30.555
RSD 611,10 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (cev)
50
RSD 25.462
RSD 509,25 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 30.555
RSD 611,10 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (cev)
50
| količina | Jedinična cena | Po cev |
|---|---|---|
| 50 - 120 | RSD 509,25 | RSD 2.546 |
| 125+ | RSD 442,562 | RSD 2.213 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
80A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
283W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.3V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.75mm
Height
20.15mm
Standards/Approvals
Lead free package
Series
V
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.