Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
60A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
375W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.3V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.75mm
Height
20.15mm
Standards/Approvals
No
Series
Trench Gate Field Stop
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 31.222
RSD 624,438 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 37.466
RSD 749,326 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (cev)
50
RSD 31.222
RSD 624,438 komad (isporucivo u Tubi) (bez PDV-a)
RSD 37.466
RSD 749,326 komad (isporucivo u Tubi) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (cev)
50
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
60A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
375W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.3V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.75mm
Height
20.15mm
Standards/Approvals
No
Series
Trench Gate Field Stop
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.