Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
80A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
375W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.3V
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
14.8mm
Standards/Approvals
ECOPACK
Width
15.75mm
Series
V
Height
20.15mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 3.280
RSD 655,962 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 3.936
RSD 787,154 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
Standard
5
RSD 3.280
RSD 655,962 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 3.936
RSD 787,154 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
5
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RSD 655,962 | RSD 3.280 |
| 50 - 120 | RSD 630,50 | RSD 3.152 |
| 125+ | RSD 623,225 | RSD 3.116 |
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
80A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
375W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.3V
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
14.8mm
Standards/Approvals
ECOPACK
Width
15.75mm
Series
V
Height
20.15mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.