Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
115A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Maximum Power Dissipation Pd
357W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
4
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.9mm
Height
5.1mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
21.1mm
Series
STG
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 28.954
RSD 965,15 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)
RSD 34.745
RSD 1.158,18 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)
30
RSD 28.954
RSD 965,15 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)
RSD 34.745
RSD 1.158,18 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
30
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
115A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Maximum Power Dissipation Pd
357W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
4
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.9mm
Height
5.1mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
21.1mm
Series
STG
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
