Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
50A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Maximum Power Dissipation Pd
167W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.1V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.9mm
Height
5.1mm
Standards/Approvals
RoHS
Series
STG
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 10.512
RSD 350,412 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)
RSD 12.615
RSD 420,494 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)
30
RSD 10.512
RSD 350,412 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)
RSD 12.615
RSD 420,494 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
30
| količina | Jedinična cena | Po cev |
|---|---|---|
| 30 - 270 | RSD 350,412 | RSD 10.512 |
| 300+ | RSD 345,562 | RSD 10.367 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
50A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Maximum Power Dissipation Pd
167W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.1V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.9mm
Height
5.1mm
Standards/Approvals
RoHS
Series
STG
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
