Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
86A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Maximum Power Dissipation Pd
272W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.9mm
Height
5.1mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
21.1mm
Series
STG
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Řada STMicroelectronics HB2 650 v IGBT představuje vývoj struktury FIELD-stop hradla Trench společnosti Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu a také z hlediska snížené spínací energie. Dioda používaná pouze pro účely ochrany je v protiparalelním balení s IGBT. Výsledkem je produkt speciálně navržený tak, aby maximalizoval efektivitu pro širokou řadu rychlých aplikací.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 9.639
RSD 321,312 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)
RSD 11.567
RSD 385,574 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)
30
RSD 9.639
RSD 321,312 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)
RSD 11.567
RSD 385,574 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
30
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
86A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Maximum Power Dissipation Pd
272W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.9mm
Height
5.1mm
Standards/Approvals
RoHS
Width
21.1mm
Series
STG
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Řada STMicroelectronics HB2 650 v IGBT představuje vývoj struktury FIELD-stop hradla Trench společnosti Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu a také z hlediska snížené spínací energie. Dioda používaná pouze pro účely ochrany je v protiparalelním balení s IGBT. Výsledkem je produkt speciálně navržený tak, aby maximalizoval efektivitu pro širokou řadu rychlých aplikací.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
