Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
86A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Maximum Power Dissipation Pd
272W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.9mm
Height
5.1mm
Standards/Approvals
RoHS
Series
STG
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Řada STMicroelectronics HB2 650 v IGBT představuje vývoj struktury FIELD-stop hradla Trench společnosti Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu a také z hlediska snížené spínací energie. Dioda používaná pouze pro účely ochrany je v protiparalelním balení s IGBT. Výsledkem je produkt speciálně navržený tak, aby maximalizoval efektivitu pro širokou řadu rychlých aplikací.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 2.128
RSD 425,588 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 2.554
RSD 510,706 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
Standard
5
RSD 2.128
RSD 425,588 komadno (u pakovanju od 5) (bez PDV-a)
RSD 2.554
RSD 510,706 komadno (u pakovanju od 5) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
5
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RSD 425,588 | RSD 2.128 |
| 50 - 120 | RSD 394,062 | RSD 1.970 |
| 125+ | RSD 341,925 | RSD 1.710 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
86A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
650V
Maximum Power Dissipation Pd
272W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.9mm
Height
5.1mm
Standards/Approvals
RoHS
Series
STG
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Řada STMicroelectronics HB2 650 v IGBT představuje vývoj struktury FIELD-stop hradla Trench společnosti Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu a také z hlediska snížené spínací energie. Dioda používaná pouze pro účely ochrany je v protiparalelním balení s IGBT. Výsledkem je produkt speciálně navržený tak, aby maximalizoval efektivitu pro širokou řadu rychlých aplikací.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
