Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
150A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
1200V
Maximum Power Dissipation Pd
750W
Package Type
Max247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.6V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics IGBT vyvinutý pomocí Advanced proprietární příkop brány pole stop strukturu. Toto zařízení je součástí řady IGBT H, které představují optimální kompromis mezi ztrátami vedení a spínání, aby se maximalizovala účinnost vysokofrekvenčních měničů. Navíc mírně kladný teplotní koeficient VCE (SAT) a velmi těsná distribuce parametrů vedou k bezpečnějšímu paralelního provozu.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 41.722
RSD 1.390,738 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)
RSD 50.067
RSD 1.668,886 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)
30
RSD 41.722
RSD 1.390,738 komad (u Tubi od 30) (bez PDV-a)
RSD 50.067
RSD 1.668,886 komad (u Tubi od 30) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
30
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current Ic
150A
Product Type
IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
1200V
Maximum Power Dissipation Pd
750W
Package Type
Max247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
20 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.6V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics IGBT vyvinutý pomocí Advanced proprietární příkop brány pole stop strukturu. Toto zařízení je součástí řady IGBT H, které představují optimální kompromis mezi ztrátami vedení a spínání, aby se maximalizovala účinnost vysokofrekvenčních měničů. Navíc mírně kladný teplotní koeficient VCE (SAT) a velmi těsná distribuce parametrů vedou k bezpečnějšímu paralelního provozu.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
