Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
H2PAK-2
Series
STH200
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Power Dissipation Pd
340W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
93nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics N-kanálový výkonový MOSFET využívá technologii STripFET F7 s vylepšenou strukturou příkopu brány posílení lineární režim odolávat schopnosti a poskytuje širší SOA v kombinaci s velmi nízkou na-státní odpor. Výsledný MOSFET zajišťuje nejlepší kompromis mezi lineárním režimem a spínacími operacemi.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 5.699
RSD 570 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)
RSD 6.838
RSD 684 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakovanje (kolut)
10
RSD 5.699
RSD 570 komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)
RSD 6.838
RSD 684 komad (isporučivo u Reel) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (kolut)
10
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
H2PAK-2
Series
STH200
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Power Dissipation Pd
340W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
93nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics N-kanálový výkonový MOSFET využívá technologii STripFET F7 s vylepšenou strukturou příkopu brány posílení lineární režim odolávat schopnosti a poskytuje širší SOA v kombinaci s velmi nízkou na-státní odpor. Výsledný MOSFET zajišťuje nejlepší kompromis mezi lineárním režimem a spínacími operacemi.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
