Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
22A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Series
STI28
Package Type
I2PAK
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
150mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Power Dissipation Pd
170W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
36nC
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
4.6mm
Height
9.3mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tato zařízení jsou výkonové tranzistory MOSFET s N-kanálem vyvinuté pomocí technologie MDmesh™ M2. Díky páskovému uspořádání a lepší svislé struktuře mají tato zařízení nízký odpor při zapnutí a optimalizované charakteristiky při spínání, díky čemuž jsou vhodné pro nejnáročnější vysoce účinné měniče.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 15.399
RSD 307,975 komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)
RSD 18.478
RSD 369,57 komad (u Tubi od 50) (s PDV-om)
50
RSD 15.399
RSD 307,975 komad (u Tubi od 50) (bez PDV-a)
RSD 18.478
RSD 369,57 komad (u Tubi od 50) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
50
| količina | Jedinična cena | Po cev |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RSD 307,975 | RSD 15.399 |
| 250+ | RSD 304,338 | RSD 15.217 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
22A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Series
STI28
Package Type
I2PAK
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
150mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Power Dissipation Pd
170W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
36nC
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
4.6mm
Height
9.3mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Tato zařízení jsou výkonové tranzistory MOSFET s N-kanálem vyvinuté pomocí technologie MDmesh™ M2. Díky páskovému uspořádání a lepší svislé struktuře mají tato zařízení nízký odpor při zapnutí a optimalizované charakteristiky při spínání, díky čemuž jsou vhodné pro nejnáročnější vysoce účinné měniče.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
