Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
95A
Maximum Drain Source Voltage Vds
80V
Package Type
PowerFLAT
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
6.5Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
46nC
Maximum Power Dissipation Pd
127W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics N-kanálový výkonový MOSFET využívá technologii STripFET F7 s vylepšenou strukturou příkopu brány, která má za následek velmi nízkou on-state odpor, a zároveň snižuje vnitřní kapacitu a nabíjení brány pro rychlejší a efektivnější přepínání.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 687.488
RSD 229,162 komad (u Reel od 3000) (bez PDV-a)
RSD 824.985
RSD 274,994 komad (u Reel od 3000) (s PDV-om)
3000
RSD 687.488
RSD 229,162 komad (u Reel od 3000) (bez PDV-a)
RSD 824.985
RSD 274,994 komad (u Reel od 3000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
3000
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
95A
Maximum Drain Source Voltage Vds
80V
Package Type
PowerFLAT
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
6.5Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
46nC
Maximum Power Dissipation Pd
127W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics N-kanálový výkonový MOSFET využívá technologii STripFET F7 s vylepšenou strukturou příkopu brány, která má za následek velmi nízkou on-state odpor, a zároveň snižuje vnitřní kapacitu a nabíjení brány pro rychlejší a efektivnější přepínání.