Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
15A
Maximum Drain Source Voltage Vds
710V
Package Type
PowerFLAT
Series
MDmesh M5
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
240mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
57W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
31nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
1mm
Length
5.4mm
Standards/Approvals
No
Width
6.35mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh M5 jsou optimalizovány pro vysoce výkonné topologie PFC a PWM. Mezi hlavní funkce patří nízké ztráty na silikonové ploše v kombinaci s nízkým nabíjením zadní výklopné stěny. Jsou navrženy pro energeticky úsporné, kompaktní a spolehlivé aplikace pro náročné přepínání, jako jsou solární napájecí měniče, napájecí zdroje pro spotřební výrobky a elektronické ovládání osvětlení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 795
RSD 397,70 komad ( isporučivo na traci) (bez PDV-a)
RSD 954
RSD 477,24 komad ( isporučivo na traci) (s PDV-om)
Standard
2
RSD 795
RSD 397,70 komad ( isporučivo na traci) (bez PDV-a)
RSD 954
RSD 477,24 komad ( isporučivo na traci) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
2
| količina | Jedinična cena | Po traka |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RSD 397,70 | RSD 795 |
| 20 - 98 | RSD 355,262 | RSD 711 |
| 100 - 198 | RSD 331,012 | RSD 662 |
| 200+ | RSD 295,85 | RSD 592 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
15A
Maximum Drain Source Voltage Vds
710V
Package Type
PowerFLAT
Series
MDmesh M5
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
240mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
57W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
31nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
1mm
Length
5.4mm
Standards/Approvals
No
Width
6.35mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh M5 jsou optimalizovány pro vysoce výkonné topologie PFC a PWM. Mezi hlavní funkce patří nízké ztráty na silikonové ploše v kombinaci s nízkým nabíjením zadní výklopné stěny. Jsou navrženy pro energeticky úsporné, kompaktní a spolehlivé aplikace pro náročné přepínání, jako jsou solární napájecí měniče, napájecí zdroje pro spotřební výrobky a elektronické ovládání osvětlení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
