Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
15A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
PowerFLAT
Mount Type
Surface
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance Rds
215mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
24nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
8.1mm
Height
900μm
Length
8.1mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Tento vysokonapěťový výkonový MOSFET N-channel je součástí řady diod MDmesh™ DM5 s rychlou obnovou. Ve srovnání s předchozí generací technologie MDmesh FAST kombinuje model DM6 velmi nízkou úroveň nabití obnovy (Qrr), dobu obnovy (trr) a vynikající zlepšení RDS(ON) na oblast s efektivním přepínáním pro nejnáročnější vysoce účinné topologie mostů a převodníky fáze-SHIFT systému ZVS.
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 1.131.262
RSD 377,088 komad (u Reel od 3000) (bez PDV-a)
RSD 1.357.515
RSD 452,506 komad (u Reel od 3000) (s PDV-om)
3000
RSD 1.131.262
RSD 377,088 komad (u Reel od 3000) (bez PDV-a)
RSD 1.357.515
RSD 452,506 komad (u Reel od 3000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
3000
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
15A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
PowerFLAT
Mount Type
Surface
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance Rds
215mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
24nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
8.1mm
Height
900μm
Length
8.1mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Tento vysokonapěťový výkonový MOSFET N-channel je součástí řady diod MDmesh™ DM5 s rychlou obnovou. Ve srovnání s předchozí generací technologie MDmesh FAST kombinuje model DM6 velmi nízkou úroveň nabití obnovy (Qrr), dobu obnovy (trr) a vynikající zlepšení RDS(ON) na oblast s efektivním přepínáním pro nejnáročnější vysoce účinné topologie mostů a převodníky fáze-SHIFT systému ZVS.