Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
22A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
PowerFLAT
Series
MDmesh M5
Mount Type
Surface
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance Rds
90mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.8W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
62nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-25, +25V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
950μm
Length
8mm
Width
8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh M5 jsou optimalizovány pro vysoce výkonné topologie PFC a PWM. Mezi hlavní funkce patří nízké ztráty na silikonové ploše v kombinaci s nízkým nabíjením zadní výklopné stěny. Jsou navrženy pro energeticky úsporné, kompaktní a spolehlivé aplikace pro náročné přepínání, jako jsou solární napájecí měniče, napájecí zdroje pro spotřební výrobky a elektronické ovládání osvětlení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Cena na upit
komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)
Proizvodno pakovanje (kolut)
5
Cena na upit
komad (isporučivo u Reel) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakovanje (kolut)
5
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
22A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
PowerFLAT
Series
MDmesh M5
Mount Type
Surface
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance Rds
90mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
2.8W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
62nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-25, +25V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
950μm
Length
8mm
Width
8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh M5 jsou optimalizovány pro vysoce výkonné topologie PFC a PWM. Mezi hlavní funkce patří nízké ztráty na silikonové ploše v kombinaci s nízkým nabíjením zadní výklopné stěny. Jsou navrženy pro energeticky úsporné, kompaktní a spolehlivé aplikace pro náročné přepínání, jako jsou solární napájecí měniče, napájecí zdroje pro spotřební výrobky a elektronické ovládání osvětlení.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
