Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
40A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Package Type
PowerFLAT
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
25mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
50W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
4.5nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
22V
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Operating Temperature
175°C
Transistor Configuration
Single
Height
0.95mm
Length
6.2mm
Standards/Approvals
No
Width
5.1mm
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalji o proizvodu
Toto zařízení je tranzistorový MOSFET s N-kanálovým výkonem vyvinutý pomocí technologie STMicroelectronics' STRripFET™ H5. Zařízení bylo optimalizováno tak, aby dosáhlo velmi nízké odolnosti ve stavu, a přispívalo tak k FOM, který patří mezi nejlepší ve své třídě.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 1.564
RSD 156,412 komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)
RSD 1.877
RSD 187,694 komadno (u pakovanju od 10) (s PDV-om)
Standard
10
RSD 1.564
RSD 156,412 komadno (u pakovanju od 10) (bez PDV-a)
RSD 1.877
RSD 187,694 komadno (u pakovanju od 10) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
10
| količina | Jedinična cena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RSD 156,412 | RSD 1.564 |
| 100 - 490 | RSD 105,488 | RSD 1.055 |
| 500+ | RSD 89,725 | RSD 897 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
40A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Package Type
PowerFLAT
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
25mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
50W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
4.5nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
22V
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Operating Temperature
175°C
Transistor Configuration
Single
Height
0.95mm
Length
6.2mm
Standards/Approvals
No
Width
5.1mm
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
AEC-Q101
Detalji o proizvodu
Toto zařízení je tranzistorový MOSFET s N-kanálovým výkonem vyvinutý pomocí technologie STMicroelectronics' STRripFET™ H5. Zařízení bylo optimalizováno tak, aby dosáhlo velmi nízké odolnosti ve stavu, a přispívalo tak k FOM, který patří mezi nejlepší ve své třídě.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
