Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
SOT-223
Series
STN3N
Mount Type
Surface
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
7mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
3.3W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
10nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
1.6mm
Length
6.5mm
Standards/Approvals
No
Width
7mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics Power MOSFET je nejnovější vývoj STMicroelectronics unikátní \"Single Feature Size™\" proces založený na pásu. Výsledný tranzistor ukazuje extrémně vysokou hustotu při balení pro nízkou odolnost, robustní lavinové charakteristiky a méně kritické kroky zarovnání, a proto pozoruhodnou výrobní reprodukovatelnost.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
RSD 160.050
RSD 40,012 komad (u Reel od 4000) (bez PDV-a)
RSD 192.060
RSD 48,014 komad (u Reel od 4000) (s PDV-om)
4000
RSD 160.050
RSD 40,012 komad (u Reel od 4000) (bez PDV-a)
RSD 192.060
RSD 48,014 komad (u Reel od 4000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
4000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
SOT-223
Series
STN3N
Mount Type
Surface
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
7mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
3.3W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
10nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
1.6mm
Length
6.5mm
Standards/Approvals
No
Width
7mm
Automotive Standard
No
Detalji o proizvodu
STMicroelectronics Power MOSFET je nejnovější vývoj STMicroelectronics unikátní \"Single Feature Size™\" proces založený na pásu. Výsledný tranzistor ukazuje extrémně vysokou hustotu při balení pro nízkou odolnost, robustní lavinové charakteristiky a méně kritické kroky zarovnání, a proto pozoruhodnou výrobní reprodukovatelnost.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
